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25 GHz，使用專有的 200 GHz fT 磷化銦集成電路工藝和背面接地過孔以及創新的厚膜技術。

30 GHz，采用專有的 200 GHz fT 磷化銦 IC 制程、背面接地過孔和全新厚膜技術。

10:1，1.5 GHz，1.3 米，輕松探測密集分布的 IC 元器件。

100:1，1.5 MHz，1.3 米，輕松探測密集分布的 IC 元器件，以及在高速應用中更準確地測量快速邊沿。